Svojstva silicijevog karbida

Silicijev karbid iz - za kemijsku stabilnost, visoku toplinsku vodljivost, mali koeficijent toplinske ekspanzije, dobru otpornost na habanje, osim upotrebe abraziva, postoje mnoge druge upotrebe, kao što su: posebna tehnologija nanošenja praha silicij karbida na unutarnju stijenku rotora turbine ili tijela cilindra, može poboljšati njegovu otpornost na habanje i produljiti vijek trajanja za 1 - 2 puta; Koristi se za izradu visokokvalitetnih vatrootpornih materijala, potresa otpornih na toplinu, male veličine, male težine i velike čvrstoće, učinak uštede energije je dobar. Silicijev karbid niske kvalitete (sadrži oko 85% SiC) izvrstan je deoksidans koji može ubrzati proizvodnju čelika i lako kontrolirati kemijski sastav i poboljšati kvalitetu čelika. Osim toga, silicijev karbid također se široko koristi za izradu silicijevih šipki za elektrotermalne ćelije.
Tvrdoća silicijevog karbida je vrlo visoka, Mourinhova tvrdoća je 9,5, druga je samo nakon najtvrđeg dijamanta na svijetu (razina 10), ima izvrsna svojstva toplinske vodljivosti, poluvodič je koji može odoljeti oksidaciji na visokim temperaturama.
Silicij karbid ima najmanje 70 kristalnih tipova. -Silicijev karbid je najčešći izomer, koji nastaje na visokim temperaturama iznad 2000 stupnjeva i ima kristalnu strukturu heksagonalnog kristalnog sustava (vlaknasta cinkova ruda). - Silicijev karbid, struktura kubičnog kristalnog sustava slična dijamantu [13], nastaje na temperaturama ispod 2000 stupnjeva. Pri korištenju heterofaznih katalizatora - silicijev karbid iz - za svoj omjer - silicijev karbid ima veću površinu od površine. Postoji još jedan silicijev karbid, μ- Silicijev karbid, najstabilniji, može proizvesti ugodnije zvukove pri sudaru. Međutim, do sada ove dvije vrste silicijevog karbida nisu bile komercijalno korištene.
Budući da je specifična težina silicijevog karbida 3,1 g/cm3, a temperatura sublimacije relativno visoka (oko 2700 stupnjeva), idealan je kao sirovina za ležajeve ili visokotemperaturne peći. Pri bilo kojem mogućem tlaku ne topi se i ima prilično nisku kemijsku reaktivnost. Zbog visoke toplinske vodljivosti - silicijevog karbida, visokog intenziteta destruktivnog električnog polja i velike gustoće struje, pokušalo se koristiti kao alternativa siliciju, posebno u poluvodičkim ćelijama velike snage. Osim toga, silicijev karbid ima snažan afinitet prema mikrovalnom zračenju, a njegova točka porasta čini ga pogodnim za zagrijavanje metala.
Čisti silicijev karbid je bezbojan, ali u industrijskoj proizvodnji zbog prisutnosti nečistih tvari kao što je željezo, njegova boja je obično smeđa do crna. Površina kristala ima dugin sjaj od - zbog stvaranja zaštitnog sloja silicijeva dioksida.
SiC - je poluvodič koji mijenja strukturu energetske razine SiC materijala dopiranjem i dodatno prilagođava njegova svojstva, uglavnom upotrebom ubrizgavanja iona za dopiranje A, B, N i drugih atoma. Među njima: - atomi primatelji kao što je Al vjerojatnije će zamijeniti položaj Si u rešetki SiC, formirajući duboku osnovnu energetsku razinu i proizvodeći poluvodič tipa P -; - donorski atomi kao što su N i P vjerojatnije će zauzeti položaj C kristalne rešetke i formirati plitku donorsku razinu da bi se dobio N - tip poluvodiča. Vrijedno je napomenuti da SiC ima širok raspon dopiranja (1X1014 - 1X1019 cm- 3), koji nedostaje drugim širokopojasnim poluvodičima, au tom je rasponu lako ostvariti dopiranje N-tipa i P-tipa, na primjer, monokristale 4H - SiC niskog otpora nakon dopiranja AI.